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ISO 9001:2015 立即取得報價
半導體真空設備 CNC 加工零件
產品類別
SVE — 001 至 018

半導體
& 真空
設備零件

18 條專為半導體製程設備、真空系統與超純淨處理環境所設計之高精密加工產品線—涵蓋 UHV 腔體本體與晶片處理夾具到氣體分配板、陶瓷對金屬組件與靜電放電安全工具。.

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10⁻⁹ 毫巴·升/秒
氦氣漏率
📐
±0.003 毫米
密封面平整度
Ra ≤0.25 μm
電解抛光 EP
🏭
潔淨室
包裝與交付
18
產品線
真空腔體到靜電放電夾具—完整設備建置支援
10⁻⁹ mbar·l/s 的
泄漏率
對所有真空部件進行氦質譜泄漏測試,證書包含在內
316L EP
工藝氣體等級
全不銹鋼316L經電解拋光,用於所有與腐蝕性氣體接觸的表面
24 hr
報價處理時間
在收到圖紙後24小時內提供DFM反饋與完整報價
18
產品線
10⁻⁹ mbar·l/s 的
氦泄漏率
Ra ≤0.25μm
EP 表面
±0.003mm
密封平整度
24 hr
報價處理時間
真空腔體 腔室盖板 腔室密封框架 腔室內部組件 晶圓搬運支架 晶圓對位零件 設備安裝板 隔熱支撐零件 防靜電測量/抗靜電裝置 精密導向元件 氣體分佈板 真空法蘭轉接件 高潔淨度結構 抽取閥門轉換接頭 腔室觀測視窗框架 高平面度安裝底座 陶瓷 / PEEK 金屬座組裝件 設備末端效應器零件 真空腔體 腔室盖板 腔室密封框架 腔室內部組件 晶圓搬運支架 晶圓對位零件 設備安裝板 隔熱支撐零件 防靜電測量/抗靜電裝置 精密導向元件 氣體分佈板 真空法蘭轉接件 高潔淨度結構 抽取閥門轉換接頭 腔室觀測視窗框架 高平面度安裝底座 陶瓷 / PEEK 金屬座組裝件 設備末端效應器零件
完整產品系列

18 半導體與真空設備
產品線

在左側選取分類即可查看產品 · 所有零件均可繪圖 · 最小訂購量 1 件 · 含氣密性測試

產品分類
真空腔體與封口 4
晶片處理與對位 2
設備安裝與支撐 3
氣體、法蘭與流體介面 4
專業與複合零件 5
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真空腔體與封口
UHV 相容腔體本體、封口框、覆板與內部結構元件。所有與介面接觸的表面皆電解拋光至 Ra ≤0.4 μm 或更佳。Conflat、ISO-K、ISO-KF 法蘭標準。每個腔體於出貨前皆以氦氣漏測,至 10⁻⁹ mbar·l/s。.
材料: SS316L EP · Al6061 · OFHC 銅 · 鈦
真空腔體本體 UHV CNC 加工 SS316L
SVE-001
真空腔體 / 001 — 精選
真空腔體
UHV 相容腔體本體採用 SS316L — 以整塊鋳件或捲制與焊接板材加工,再於內部電解拋光。多個 Conflat 或 ISO-K 法蘭端口經由 CNC 水平加工中心定位與鑽孔。內表面在電解拋光後 Ra ≤0.4 μm;需時 ≤0.25 μm。以氦氣漏測至 10⁻⁹ mbar·l/s。從小型分析腔到大型沉積反應器本體。.
UHV 兼容 氦氣 10⁻⁹ 毫巴·升/秒 EP Ra ≤0.4 μm Conflat / ISO-K / KF
SS316L · Al6061 · OFHC 銅 報價
腔體蓋板 密封面
SVE-002
真空腔體 / 002
腔室盖板
帶 O 圓環槽或刀刃式金屬密封面的真空腔蓋與進出板。密封面平整度 ±0.003 毫米。通孔的進出線由 CNC 定位。內部表面電解拋光。.
±0.003mm 平整O 型圈 / 金屬密封
SS316L · Al6061 · Ti報價/div>
真空腔密封框墊圈
SVE-003
真空腔體 / 003
腔室密封框架
用於腔體端面配合的精密密封圈框與墊圈座體。 knife-edge Conflat 風格密封框,面面平行度 ≤0.005 mm。可與腔體本體配對提供,或作為獨立件。.
閥平刀鋒平行度 ≤0.005
SS316L · OFHC銅 · 金剛石鎳鑄鋼報價/div>
腔體內部元件夾具 UHV
SVE-004
真空腔室 / 004
腔室內部組件
位於真空腔室內的屏蔽、槽板、電極支撐、台架支架和樣品夾。低逸出材料選擇。所有盲孔均進行倒角以防止氣體困滯。電解拋光或珠光化處理。.
低逸出無盲孔
SS316L · 鋁 · 鈦 · Macor報價
🔵
晶片處理與對位
晶圓處理夾具圈、端執行器與晶圓搬運、裝載鎖定台、以及加工腔室的對準邊緣定位元件。具防靜電材料與 PEEK/陶瓷接觸面,避免靜電傷害與金屬污染。.
材料: Al6061 · PEEK · 陶瓷 · SS316L · Delrin
晶圓處理夾具夾環 末端效應器
SVE-005
晶圓處理 / 005 — 精選
晶圓處理夾具
晶圓夾環、叉端執行器與抓取組件,用於大氣與真空環境中的200 mm與300 mm晶圓運輸。接觸面材質為PEEK或氧化鋁(Al₂O₃)以防止金屬污染。具有ESD防護的版本,採用碳負載PEEK或導電鋁以提供靜電放電保護。晶圓接觸位置公差±0.05 mm。可進行真空兼容的脫氣特性量測。.
200/300毫米晶圓 PEEK接觸面 ESD安全選項 ±0.05mm接觸位置公差.
Al6061 · PEEK · Al₂O₃ · C-PEEK報價
晶圓對準部 邊緣定位器 精密
SVE-006
晶圓處理 / 006
晶圓對位與定位部件
精密晶圓邊緣定位銷、平面查找槽感測器,以及對位平台嵌件。定位公差±0.01 mm。硬陽極氧化鋁或陶瓷銷材料,長時間使用而不污染。.
±0.01mm定位硬陽極氧化/陶瓷
Al7075 · Al₂O₃ · ZrO₂ · 不銹鋼報價
📐
設備安裝與支撐
半導體設備安裝板、絕緣支撐結構、ESD 安全夾具,以及用於工藝設備的結構與運動子組裝的精密直線導軌。全程高平面度、嚴格的位置公差,且材料不污染。.
材料: Al6061 · Al7075 · PEEK · Al₂O₃ · 不銹鋼316L
半導體設備 安裝板 高平整度
SVE-007
安裝與支撐 / 007 — 精選
設備安裝板
高平面度的設備安裝板與適配板,適用於半導體製程工具——將機械手臂、舞台組件與感測模組連接至設備框架。安裝面平整度 ±0.005 mm;安裝孔位公差 ±0.008 mm。標準材料採用經應力釋放處理的 Al6061-T651 板材,降低後期加工變形。表面硬質陽極化處理 Type III 以提供表面保護。附有 CMM 尺寸報告。.
平面度 ±0.005mm 孔位公差 ±0.008mm T651 釋放應力 CMM 報告
Al6061-T651 · Al7075 · SS316L報價
絕緣支撐 陶瓷 PEEK 半導體
SVE-008
安裝與支撐 / 008
隔熱支撐零件
用於電隔離的電隔離元件、支撐柱與套筒絕緣體,材料為 PEEK、Al₂O₃ 陶瓷,或 Macor 可加工玻璃陶瓷。在射頻與等離子腔室中將帶電元件與地點分離。體積電阻率 >10¹⁴ Ω·cm。.
PEEK / Al₂O₃ / Macor10¹⁴ Ω·cm
PEEK · Al₂O₃ · Macor · PTFE報價
靜電防護夾具 半導體組裝
SVE-009
安裝與支撐 / 009
防靜電測量/抗靜電裝置
ESD 防護工具夾、元件托盤與裝配治具,材質為碳載荷 PEEK(C-PEEK)、ESD 防護鋁材,或靜電耗散尼龍。表面電阻率 10⁶–10⁹ Ω/平方,能在不放電的情況下受控地散去電荷。.
C-PEEK / ESD 鋁10⁶–10⁹ Ω/平方
C-PEEK · ESD Al · ESD尼龍報價
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氣體、法蘭與流體介面
氣體分配板、真空法蘭適配件、泵至閥門的過渡接頭,以及腔體視窗框架。所有與氣體接觸的表面皆為電解拋光316L。不銹鋼法蘭加工符合Conflat、KF與ISO-K標準。進行氦氣漏率測試。潔淨室包裝。.
材料: SS316L 端件 · Al6061 · OFHC 銅 · 硼矽玻璃
氣體分配板 半導體 Showerhead CNC
SVE-011
GAS & FLANGE / 011 — 推薦特輯
氣體分配板(淋浴花灑頭)
精密淋浴頭氣體分佈板,適用於 CVD、ALD、PECVD 及蝕刻腔室。均勻孔洞陣列,板面整體直徑公差 ±0.005 mm。電解拋光 316L 不鏽鋼,表面粗糙度 Ra ≤0.25 μm。每片經氦氣泄漏測試,測試值為 10⁻⁹ mbar·L/s。可相容於 F₂、NF₃、Cl₂、HCl 等腐蝕性工藝氣體。單區與雙區氣體輸送配置。於氮氣置換下在潔淨室包裝。.
孔徑 ±0.005mm EP Ra ≤0.25 μm 氦氣 10⁻⁹ 毫巴·升/秒 腐蝕性氣體等級
SS316L EP · 哈氏合金 · Inconel · 鋁報價
真空法蘭轉接 Conflat KF ISO-K
SVE-012
氣體與法蘭 / 012
真空法蘭適配件
Conflat 與 KF、ISO-K 之間的轉接法蘭,及與非標準真空法蘭的適配,配有匹配的密封面。 knife-edge 平行度 ≤0.005 mm。內部電解拋光。組裝後做氦氣密測試。.
CF / KF / ISO-K刀口邊緣經過研磨
SS316L · OFHC 銅報價
泵閥轉接件 真空
SVE-013
氣體與法蘭 / 013
抽取閥門轉換接頭
在真空泵(ISO-K 或法蘭連接)、閘閥與腔體之間的客製過渡連接,從實心坯料加工製成的非標準螺栓孔與交叉幾何形狀。所有與液態接觸的表面均經電解拋光。.
自訂螺栓孔型式內部EP
SS316L · Al6061報價
腔體視窗框架 視窗法蘭
SVE-014
氣體與法蘭 / 014
腔室觀測視窗框架
玻璃-金屬密封用視窗玻璃法蘭與框架,適用硼矽玻璃、藍寶石或燒結石英窗。以 ±0.02 mm 的裝配公差對應指定玻璃外徑加工的玻璃對金屬密封溝槽。高電解拋光 SS316L 為標準。.
玻璃-金屬密封±0.02mm 適配
SS316L · Kovar · 銅報價
專業與複合零件
高潔淨度結構元件、高平整度設備基座、精密導向件、陶瓷與金屬組件,以及設備末端執行器元件。在半導體製造廠環境中,具複雜材料組合與最高潔淨度的應用。.
材料: Al6061 · SS316L · PEEK · Al₂O₃ · SiC · Invar
高潔淨度結構部件半導體潔淨室
SVE-010
專家 / 010
精密導向元件
直線導軌、尾錐滑動部件及設備運動級段的導軌在化學清潔與真空環境中使用。硬質陽極處理或化學鎳表面處理後,表面硬度與幾何精度仍可維持。.
線性 / 尾榫E-Ni / H-陽極氧化
Al7075 · SS440C · Ti報價
高潔淨度結構半導體
SVE-015
專家 / 015
高潔淨度結構件
設備框架構件、支撐托架與結構節點,加工與清潔符合 ISO Class 5 (Class 100) 要求。所有表面經被動化、電解拋光或陽極氧化。最終檢查後於潔淨室包裝。無裸露鋁表面。.
ISO 5 級N₂-置換包裝
Al6061 · SS316L · Ti報價
陶瓷 PEEK 金屬座組件半導體
SVE-017
專家 / 017 — 精選
陶瓷與 PEEK 對金屬座組件
結合陶瓷(Al₂O₃、SiC、ZrO₂)或 PEEK 絕緣元件與精密加工金屬(SS316L 或 Ti)外殼、座環與固定框的複合組件。金屬座經 H7/H6 公差配合以適配陶瓷嵌件壓入式。裝配完成後驗證電氣絕緣性。應用包括射頻電極絕緣體組件、帶金屬安裝框的等離子體圈件,以及介電窗口固定件組件。.
陶瓷-金屬配合 H7/H6 壓入式 絕緣性已驗證 Al₂O₃ / SiC / ZrO₂
SS316L + Al₂O₃ · Ti + SiC · Al + PEEK報價
高平整度安裝基座設備半導體
SVE-016
專家 / 016
高平整度設備安裝底座
大型精密設備底座與參考平板。頂表面在應力釋放與精密磨削後平整度為 ±0.003 mm。用於熱穩定性的 Invar 或應力消除的 Al6061-T651。作為設備校準與對準的參考基準。.
±0.003mm 平整Invar / T651 鋁
Al6061-T651 · Invar36 · SS報價
設備末端執行器部件 CNC
SVE-018
專家 / 018
設備末端效應器零件
半導體自動化設備用致動器尖端、夾持指、刀片末端效應器與感測器安裝臂。低質量、高剛性。接觸區域採用 PEEK 或陶瓷素材。提供靜電放電安全版本。定位重複性可加工到 ±0.02 mm。.
±0.02mm 重複定位。.ESD安全選項
鋁 · PEEK · 陶瓷 · 鈦報價
製造能力

什麼是半導體設備零件
來自加工合作夥伴的需求

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氦質譜漏氣測試
每個真空零件皆以氦質譜漏氣檢測儀進行測試——不僅僅是目視檢查或壓力測試。標準漏率為 10⁻⁸ mbar·l/s;對於 UHV 與過程氣體元件為 10⁻⁹。每個零件皆附具個別序號的測試證明書。這不是可選加購項——已包含在所有真空零件的基礎價格中。.
標準 10⁻⁸ 10⁻⁹ 超高真空 個別證書
電解拋光與過程氣體相容性
316L 不銹鋼內部表面經電解拋光至 Ra ≤0.25 μm。EP 可去除嵌入顆粒、降低逸出量,並建立耐腐蝕性極高的 Cr 富層被動層,對與腐蝕性過程氣體(F₂、NF₃、Cl₂、HCl)具耐受性。對所有不銹鋼零件之針對 ASTM A967 的鈍化處理。提供 PFA 或 PVDF 內襯以符合最高化學耐性需求。.
Ra ≤0.25 μm 電鍍 ASTM A967 钝化 F₂/NF₃/Cl₂ 兼容
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潔淨室 清潔與包裝
所有半導體零件在完成加工與表面處理後於 ISO Class 5 (Class 100) 潔淨室環境中清洗。使用去離子水超音波清洗、 IPA 冲洗,並以氮氣吹乾。在氮氣脈動下雙層袋裝於抗靜電薄膜中。可提供過程氣體和真空潮濕部件的顆粒計數認證。.
ISO 5 級 DI 水 / IPA 冲洗 N₂-脫脂雙層袋裝
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ESD 安全材料與處理
所有工具與處理元件使用碳載聚醚醚酮 (C-PEEK)、ESD 安全鋁材與靜電耗散尼龍。表面電阻率經測量與紀錄 — 10⁶–10⁹ Ω/sq 以控流失。加工及包裝全程必戴 ESD 手腕帶。最終組裝檢測時,處理夾具需接地。.
C-PEEK / ESD 鋁 10⁶–10⁹ Ω/平方 電阻率認證
陶瓷加工與陶瓷金屬組裝
Al₂O₃、SiC、ZrO₂ 與 Macor 可加工陶瓷用鑽石工具加工至圖樣。陶瓷嵌件以壓入式金屬外殼的精密孔配合 — H7/H6 公差。組裝件之電氣絕緣通過絕緣電阻測試驗證。提供並測試為完整單元的陶瓷-金屬組裝件。.
Al₂O₃ / SiC / ZrO₂ H7/H6 壓入式 絕緣性已驗證
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高平整度與貼合接觸面
密封面與設備基準面經研磨或拋光至公差 ±0.003 mm 平整。支架底板以應力釋放的 Al6061-T651 或 Invar 做為熱穩定性。表面處理後經 CMM 驗證。對晶圓平台參考精度與在熱循環中的真空密封完整性屬關鍵。.
±0.003mm 平整度 T651 / Invar 库存 治具后的量測 CMM
精密規格

公差與測試標準 — 半導體與真空部件

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按特徵的尺寸公差
密封面平整度±0.003 毫米 (研磨/平整)
安裝板平整度±0.005 毫米 (應力釋放 + 研磨)
法蘭刀口平行度≤0.005 毫米
真空端口位置±0.05 毫米 (多腔室)
晶圓接觸位置±0.05 毫米
孔徑直徑 (氣體板)±0.005 毫米
陶瓷-金屬壓裝H7 / H6 孔徑公差
通用孔徑 / 外徑±0.005 毫米 標準
He 漏率 (標準)
10⁻⁸ mbar·l/s 的
所有真空腔體本體、覆蓋板與密封框架。質譜儀測試。.
He 漏率 (UHV / 氣體板)
10⁻⁹ mbar·l/s 的
氣體分配板、加工氣體潤濕歧管與 UHV 腔體本體。.
EP 表面光潔度
Ra ≤0.25 μm
經陽極電解拋光的 SS316L 內部潤濕表面。Ra ≤0.4 μm 標準 EP。.
ESD 表面電阻
10⁶–10⁹ Ω/平方
C-PEEK 與 ESD 鈷鎢鎂固定件。根據 IEC 61340-5-1 測量並有文件紀錄。.
絕緣電阻
>10¹⁴ Ω·cm
聚醚醚酮與 Al₂O₃ 絕緣體電阻率。已於陶瓷-金屬組件上驗證。.
潔淨室等級
ISO 5
清潔與包裝環境。ISO 14644-1 等級 5(等效於 Class 100)。.
材料選擇

半導體與真空應用之 主要材料

SS316L 電解拋光
適用於所有真空與半導體氣體濕潤表面的主力材料。316L(低碳)可在焊接接頭處減少碳化物析出。電解拋光可去除嵌入的鐵與表面粗糙度—對粒子減少及工藝氣體相容性至關重要。.
拉力強度
485 MPa
EP 表面 Ra
≤0.25 μm (≤0.4 μm 標準 EP)
氦氣泄漏測試
10⁻⁹ 毫巴·升/秒 可達成
氣體相容性
F₂、NF₃、Cl₂、HCl — 具 EP鈍化
標準
ASTM A276 · ISO 15510 · ASTM A967 鈍化
真空腔體 氣體盤 法蘭盤接頭 封口面
SS316L 電解拋光真空元件
腔體本體 蓋板 氣體分佈板 法蘭盤接頭
鋁材 6061-T651
T651應力釋放的板材——精密半導體設備底座與安裝板的唯一正確鋁材規格。T6回火提供屈服強度;T651應力釋放可消除因大面積薄板加工後出現的殘留應力變形。表面硬陽極化,Type III 具防護作用。.
拉力強度
310 MPa
平整度(板材)
±0.003 毫米 應力釋放後+ 研磨
表面處理
硬質氧化層 Type III · 氧化層 Type II
主要特性
T651 = 無加工後變形 在大型板材上
安裝板 機械底座 晶圓夾具
Al6061-T651 半導體設備安裝板
安裝板 機械底座 結構框架
PEEK 與碳化 PEEK
用於半導體接觸部的電氣絕緣與化學耐受性的 PEEK。C-PEEK(碳載體)為 ESD 安全版本——具相同化學性質但表面電阻率受控以於靜電耗散。兩者均為低逸出、與真空兼容。.
拉力強度
100 MPa (PEEK) / 85 MPa (C-PEEK)
表面電阻率
PEEK:>10¹⁵ Ω/平方·C-PEEK:10⁶–10⁹ Ω/平方
最大使用溫度
250°C 持續
化學耐受性
卓越——大部分工藝化學品
絕緣支撐件 晶圓接觸 ESD 夾具(C-PEEK)
PEEK C-PEEK ESD 半導體部件
絕緣定位柱 ESD 夾具(C-PEEK) 晶圓接觸端
生產工作流程

從圖樣到 泄漏测试、潔淨室包裝零件

半導體真空 CNC 加工生產
電解拋光 SS316L腔體部件
氦氣洩漏測試真空部件證書
01
繪圖審核 — 真空相容性與材料選擇
腔體幾何經審查以避免盲孔(捕獲氣體)、粗糙表面區域(釋氣)與法蘭標準。材料選擇 — 真空接觸面用 SS316L,結構用鋁,絕緣用 PEEK/陶瓷。24小時內反饋。.
30小時 DFM盲孔審核釋氣檢查
02
精密 CNC 加工
腔體孔、端口位置與密封面特徵於水平加工中心加工。所有法蘭孔在單次裝夾中定位以維持同心與垂直。密封面經磨削至 ±0.005 mm 的平整度,然後再進行研磨/拋光。.
單次裝夾法蘭密封面經研磨
03
密封面研磨/拋光
關鍵真空密封面磨至 ±0.003 mm 的平整度。刀刃型 Conflat 面經精密車削後再研磨以達平行度。O型圈面密封表面依需求拋光。CMM 平整度驗證。.
±0.003mm 平整CMM 驗證
04
表面處理 — 電解拋光 / 臆鍍 / 陽極化
SS316L 零件電解拋光至 Ra ≤ 0.25 μm。依 ASTM A967 進行鈍化。鋁件硬陽極化 Type III。所有處理均有紀錄。內部表面經電解拋光後再度測量 Ra 以驗證規格。.
電鍍 Ra ≤0.25μmASTM A967第 III 型
05
氦氣泄漏測試與坐標測量機(CMM)檢驗
對每個單獨零件進行氦氣質譜儀泄漏測試。泄漏率以零件序列號作為對照記錄。所有端口位置與密封面特徵之CMM尺寸驗證。交付文件中包含兩者結果。.
氦氣質譜儀泄漏測試序列號認證CMM尺寸
06
潔淨室 清潔與包裝
在 DI 水中超音波清洗、IPA 清洗、氮氣吹乾,於 ISO Class 5 洁净室中完成。以氮氣置換下雙層袋裝於防ESD膜內。包含泄漏測試證明、材料證明與檢驗報告。以剛性防護包裝運送。.
ISO 5 級DI / IPA / N₂全部文件隨附
品質系統

每個真空部件 經測試、紀錄與認證

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每個真空部件的氦泄漏測試證明
未提供完整氦質譜泄漏測試證明前,不會出貨任何真空部件。證明包含測試日期、部件序列號、測試結果(mbar·l/s)與設備校準狀態。包含在基礎價格中—非額外增購。.
EP 表面粗糙度 Ra 的測量與報告
電化拋光內部表面在接觸式輪廓儀測量後。Ra 值以零件號碼作為對照記錄。非假設自 EP 工藝參數——實際測量。與交貨文件一併提供輪廓測量報告。.
🏭
ISO Class 5 無尘室包裝 — 所有半導體元件
所有半導體設備零件在 ISO Class 5 環境中清潔,並在氮氣撙氣下雙重袋裝。需要時可提供流程氣體與超高真空相關部分的粒子計數證明。.
陶瓷-金屬組件隔離已驗證
每個陶瓷-金屬組裝在組裝完成後測量絕緣電阻——不僅僅是個別元件。組裝完成後電阻小於 10¹² Ω·cm 的零件將被識別、調查並在出貨前修正。.
📋
ISO 9001:2015
所有訂單之品質管理系統
💨
氦泄漏證明
每個真空元件皆進行質譜儀測試
ASTM A967
SS鈍化標準認證
🏭
ISO 5 級
潔淨室清潔與包裝
IEC 61340-5-1
靜電放電表面電阻認證
📐
CMM 報告
對所有高精度零件進行尺寸驗證
我們的優勢

為何半導體設備團隊 依賴我們的零件

He
洩漏測試標準 — 不可選擇
每個真空部件均以氦質譜洩漏測試為標準配置。非升級選項。不可按需取得。出廠前,每個腔體本體、罩板與氣板皆經測試與認證。.
EP
電解拋光與加工氣體就緒
SS316L 槽件經電解拋光至 Ra ≤0.25 μm,被動化處理,並進行氦洩漏測試 — 準備直接安裝於 CVD、蝕刻與 ALD 腔體。設備整合商不需額外化學處理。.
靜電放電
靜電放電與陶瓷專家
C-PEEK 靜電放電夾具具測量與認證電阻值。具有經驗證的絕緣電阻的陶瓷與金屬組件。具備提供這些複合部件所需的材料知識與量測能力——不只是試做。.
CR
ISO 五級潔淨室 — 內部
內部 ISO 五級潔淨室 — 非外包清潔。全面掌控清潔流程、氮氣脫包裝與顆粒數量驗證。你的零件在加工到交付期間不會離開我們的品質系統。.
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每次詢價皆含 DFM 檢視—公差可行性、材料確認與製程方式在量產前確認。最低訂購量 1 件。.

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最小訂購量 1
樣件可用
國際標準化組織
9001:2015
📐
每次詢價均進行 DFM 檢視
公差可行性、定位夾具策略與材料確認。具體、可操作的回饋—非泛泛的抗辯。.
🎯
首件檢驗—標準
每批新作的 FAI 報告。每次出貨皆附材質證明與表面處理證明。.
🔄
相同流程:從原型到量產
自原型的加工計畫適用於量產批次;放大規模時不需重新鑑定。.
3 / 4 / 5 軸 CNC +車削
複雜結構件、軸、殼體與傳動元件。金屬與工程塑膠。.
ISO 9001:2015 3/4/5 軸銑床 CNC 車削 座標測量儀檢驗 全球交付